半导体装置及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010507066.5
IPC分类号：H01L27/108;H01L21/8242
申请日期：
2020-06-05
申请人：
福建省晋华集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其形成方法
申请号	CN202010507066.5	申请日期	2020-06-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-30	公开/公告号	CN111863815A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/108 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人	福建省晋华集成电路有限公司	申请人地址	福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	福建省晋华集成电路有限公司	当前权利人	福建省晋华集成电路有限公司
发明人	张钦福;冯立伟;童宇诚
代理机构	上海思捷知识产权代理有限公司	代理人	王宏婧

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括基底、多个第一图案以及多个第二图案。多个第一图案与多个第二图案设置在基底上，相互平行且交替地沿着一第一方向设置。多个第一图案与多个第二图案分别具有相对的第一端与第二端，各第一图案的第一端具有一第一突出部，各第二图案的第二端具有一第二突出部，第一突出部皆朝向第二方向延伸，第二突出部皆朝向相对于第二方向的第三方向延伸，并且第二方向以及第三方向系不同于第一方向。藉此，本发明即可利用自对准双重图案化制作工艺配合图案化掩膜层来形成布局相对密集且尺寸相对微小的特定图案，以利于后续组件制作工艺的进行。

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