半导体器件

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专利名称	半导体器件
申请号	CN02119922.1	申请日期	1998-12-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-10-30	公开/公告号	CN1377079
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立制作所	当前权利人	株式会社日立制作所
发明人	近藤保夫;金田润也;青野泰久;阿部辉宜;稻垣正寿;斋藤隆一;小池义彦;荒川英夫
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王杰

摘要

本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括具有散热片的绝缘衬底和安装在所述绝缘衬底上的半导体元件，其中，所述散热片用由铜和铜氧化物构成的复合材料制成，其特征在于所述铜的氧化物是氧化亚铜(Cu2O)，所述氧化亚铜的含量为20-80体积%。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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