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基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910491852.8
  • IPC分类号:H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/09
  • 申请日期:
    2019-06-06
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器
申请号CN201910491852.8申请日期2019-06-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-10-18公开/公告号CN110350041A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0224IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;9查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人李宇波;周虹阳;华飞;楼正杰;汪小知;杨杭生
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人林超
摘要
本发明公开了一种基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、Ti金属电极、氮化硼薄膜和两个栅状电极,绝缘衬底上表面覆盖有氮化硼薄膜和Ti金属电极,Ti金属电极整体包裹于氮化硼薄膜内,两个栅状电极分别为正栅电极和负栅电极,正栅电极和负栅电极分别位于氮化硼薄膜上表面两侧。在三个电极通电的情况下,Ti金属电极与两个非对称的金属电极之间形成合适的电场,可以改变光电探测器的响应幅度和响应时间,结合氮化硼薄膜特殊的光电特性,实现一种高性能光电探测机制。本发明的探测效果好,结构简单在光电传感领域有很好的应用前景。

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