一种半导体反应设备

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202220637661.5
IPC分类号：H01L21/67
申请日期：
2022-03-22
申请人：
盛吉盛半导体科技（北京）有限公司;盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司

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专利名称	一种半导体反应设备
申请号	CN202220637661.5	申请日期	2022-03-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	盛吉盛半导体科技（北京）有限公司;盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司	申请人地址	北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路15号院2号楼7层703室（北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛吉盛半导体科技（北京）有限公司,盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司	当前权利人	盛吉盛半导体科技（北京）有限公司,盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
发明人	项习飞;田才忠;林保璋;李士昌
代理机构	北京市竞天公诚律师事务所	代理人	陈果

摘要

本实用新型涉及一种半导体反应设备，包括腔体以及多个进气部，进气部设置在腔体的顶部，进气部具有主体，主体上设置有凹部，在凹部上开设有多个进气孔，进气孔与腔体连通，半导体反应设备还包括进气管道，进气管道通过进气孔连通至腔体的内部。本实用新型能够提高半导体反应设备内硅片表面温度的均匀性。

1.一种半导体反应设备，其特征在于，包括腔体以及多个进气部，所述进气部设置在所述腔体的顶部，所述进气部具有主体，所述主体上设置有凹部，在所述凹部上开设有多个进气孔，多个所述进气孔与所述腔体连通，所述半导体反应设备还包括进气管道，所述进气管道通过所述进气孔连通至所述腔体的内部；
所述半导体反应设备还包括旋转部，所述旋转部包括基座、转轮、圆筒以及第一环形部，所述基座外周设置有第一啮合部，所述转轮将所述基座套置在内部，所述转轮的内表面设置有第二啮合部，所述第一啮合部与所述第二啮合部啮合，所述基座的上表面设置有多个引脚，所述圆筒的第一端插接所述引脚上，所述圆筒的第二端与所述第一环形部固定连接。
2.根据权利要求1所述的半导体反应设备，其特征在于，所述半导体反应设备还包括上盖板，所述进气部与所述上盖板固定连接，所述上盖板盖合于所述腔体的顶部。
3.根据权利要求2所述的半导体反应设备，其特征在于，所述上盖板还开设有多个通孔，所述进气管道连接至多个所述通孔，多个所述通孔与所述凹部上的所述进气孔连通。
4.根据权利要求3所述的半导体反应设备，其特征在于，所述进气部的所述主体的上表面设置有第一配合部，所述上盖板的下表面设置有第二配合部，所述第一配合部被设置成环绕所述凹部的外周，所述第二配合部被设置成环绕多个所述通孔。
5.根据权利要求4所述的半导体反应设备，其特征在于，所述第一配合部上设置有多个第一凸起，所述第二配合部上设置有多个第二凸起，所述多个第一凸起与所述多个第二凸起成角度配合。
6.根据权利要求1所述的半导体反应设备，其特征在于，所述旋转部还包括第一固定板、插脚以及第二环形部，所述插脚设置在所述第一固定板的外周，所述第二环形部的外环与内环之间设置有多个间隔部，所述插脚与所述间隔部卡接配合。
7.根据权利要求6所述的半导体反应设备，其特征在于，所述旋转部还包括第一热屏蔽环、第二热屏蔽环以及第二固定板，所述第一热屏蔽环搭接在所述第二热屏蔽环的上表面并与所述第二热屏蔽环固定连接，所述第二热屏蔽环搭接在所述第二环形部的上表面并与所述第二环形部固定连接，所述第二固定板与所述第二热屏蔽环固定连接。
8.根据权利要求1所述的半导体反应设备，其特征在于，所述半导体反应设备还包括气泵，所述腔体上还设置有出气孔，所述气泵设置于所述腔体内靠近所述出气孔的位置以将所述腔体内的气体从所述出气孔排出。
9.根据权利要求2所述的半导体反应设备，其特征在于，所述半导体反应设备还包括石英板，所述石英板设置在所述上盖板的上表面，并压合到所述上盖板上。

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