一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010945048.5
IPC分类号：G01L1/14;G01L9/12
申请日期：
2020-09-10
申请人：
绍兴精传传感科技有限公司

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专利名称	一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法
申请号	CN202010945048.5	申请日期	2020-09-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-18	公开/公告号	CN112097966A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L1/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L1/00 力或应力的一般计量（测量由于冲击产生的力入G01L 5/00）〔4〕 G01L1/14 通过测量电元件的电容量或电感量的变化，例如，测量电振荡器的频率变化	IPC分类号	G;0;1;L;1;/;1;4;;;G;0;1;L;9;/;1;2查看分类表>
申请人	绍兴精传传感科技有限公司	申请人地址	浙江省绍兴市诸暨市马剑镇马剑村马剑自然村18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	绍兴精传传感科技有限公司	当前权利人	绍兴精传传感科技有限公司
发明人	方续东
代理机构	西安智大知识产权代理事务所	代理人	贺建斌

摘要

一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法，传感器包括若干阵列布置的电容式碳化硅高温压力传感单元，每个电容式碳化硅高温压力传感单元包括衬底，衬底的两侧连接有支柱，衬底的中部连接有多个阵列布置的下电极，下电极和碳化硅薄膜上连接的多个阵列布置的上电极配合形成多个子电容，碳化硅薄膜两侧连接在支柱顶部，上电极顶部和上电极引线连接，上电极引线的上方设有玻璃盖板；相邻支柱之间与碳化硅薄膜、衬底形成空腔；上电极、下电极为竖直布置，通过改变上电极、下电极间面积来反应压力变化；制备方法采用刻蚀、溅射、腐蚀、键合等工艺，本发明增大输出信号，提高信噪比，提高线性度，提高压力传感器的工作温度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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