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高性能低成本IGBT负压自举驱动电路

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210299622.X
  • IPC分类号:H02M1/088
  • 申请日期:
    2012-08-22
  • 申请人:
    成都中大华瑞科技有限公司
著录项信息
专利名称高性能低成本IGBT负压自举驱动电路
申请号CN201210299622.X申请日期2012-08-22
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2012-11-14公开/公告号CN102780384A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M1/088IPC分类号H;0;2;M;1;/;0;8;8查看分类表>
申请人成都中大华瑞科技有限公司申请人地址
四川省成都市金牛区九里堤南路50号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都中大华瑞科技有限公司当前权利人成都中大华瑞科技有限公司
发明人蒋小春
代理机构成都市辅君专利代理有限公司代理人刘冰心
摘要
高性能低成本IGBT负压自举驱动电路,包括直流电源、下臂光耦、栅极电阻R3、下臂绝缘栅双极型晶体管Q2、负压电容C4和稳压二极管D5;上臂快恢复二极管D1、上臂光耦、自举电容、栅极电阻R1、上臂绝缘栅双极型晶体管Q1、负压电容C3和稳压二极管D2。改进处为:上臂Q1的栅极和发射极间增设一支路,一端与Q1发射极相连,另一端连在上臂光耦输出脚到Q1栅极间的电路上;该支路有稳压二极管D6和反向串联的快恢复二极管D7。Q1开通时,栅极-发射极间电压是IGBT的最佳驱动电压,Q1关断时是负压,因此可以可靠地关断Q1。本发明解决了现有IGBT负压自举电路不能实现充电,上臂IGBT不能可靠关断,在大负载时出现烧毁设备的问题。设计参数合理,损耗小。节省了独立电源数目,使成本降低。用于驱动电机、逆变上网和变频器。

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