可低温烧结的微波介电陶瓷Zn2V3Bi3O14及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310498264.X
IPC分类号：H01B3/12;C04B35/453;C04B35/622
申请日期：
2013-10-22
申请人：
桂林理工大学

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专利名称	可低温烧结的微波介电陶瓷Zn2V3Bi3O14及其制备方法
申请号	CN201310498264.X	申请日期	2013-10-22
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-01-29	公开/公告号	CN103539445A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B3/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B3/00 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择 H01B3/02 主要由无机物组成的 H01B3/12 陶瓷	IPC分类号	H;0;1;B;3;/;1;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;5;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人	桂林理工大学	申请人地址	江苏省苏州市张家港市杨舍镇沙洲西路109号(中联广场)A1307室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州弘吴科技中介服务有限公司	当前权利人	苏州弘吴科技中介服务有限公司
发明人	方亮;唐莹;匡小军
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷Zn2V3Bi3O14及其制备方法。可低温烧结的微波介电陶瓷的化学组成为Zn2V3Bi3O14。（1）将分析纯的ZnO、V2O5和Bi2O3的原始粉末按Zn2V3Bi3O14化学式称量配料。（2）将步骤（1）原料与蒸馏水混合湿式球磨12小时，烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时。（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在870~900℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在870~900℃烧结良好，其介电常数达到15～16，品质因数Qf值高达78000-86000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。

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