一种超薄高稳定性磁片制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010441877.X
IPC分类号：H01F41/02;H05K9/00
申请日期：
2020-05-22
申请人：
上海万兹新材料科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种超薄高稳定性磁片制备方法
申请号	CN202010441877.X	申请日期	2020-05-22
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-08-21	公开/公告号	CN111564304A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F41/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F41/00 专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法 H01F41/02 用于制造磁芯、线圈或磁体的〔3〕	IPC分类号	H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;H;0;5;K;9;/;0;0查看分类表>
申请人	上海万兹新材料科技有限公司	申请人地址	上海市崇明区新河镇滨江路78号11幢2层A区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海万兹新材料科技有限公司	当前权利人	上海万兹新材料科技有限公司
发明人	周昊平
代理机构	上海海贝律师事务所	代理人	范海燕

摘要

本发明公开了一种超薄高稳定性磁片制备方法，包括如下步骤1)磁性材料进行卷绕分切处理，2)磁性材料进行退火处理，3)将退火后的材料进行单面覆胶处理，得到第一磁性层，4)进行碎化处理，5)碎化处理后进行模切成型处理，得到指定外观尺寸的成品，所述碎化处理的方式为进行二次辊压，得到指定性能磁片，所述磁性材料进行卷绕分切处理之前进行表面预处理，所述步骤3)和4)之间还包括将第一磁性层进行多层贴合处理，得到第二磁性层。本发明，通过先碎后退火的预处理碎化方式能保证每层磁材都能最大化地得到碎化，且碎化颗粒均匀，磁片一致性好，磁片表面光滑平整，外观良率和性能良率高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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