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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110228429.2
  • IPC分类号:H01L29/92;H01L21/02
  • 申请日期:
    2011-08-10
  • 申请人:
    无锡华润上华科技有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201110228429.2申请日期2011-08-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-02-13公开/公告号CN102931239A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/92
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;9;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人无锡华润上华科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人牟亮伟;黄兆兴;陈雪磊;王黎;王者伟
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人常亮;李辰
摘要
本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:基底;位于所述基底上的PIP电容;其中,所述PIP电容包括:由下至上依次设置的具有下极板图案的第一多晶硅层、金属硅化物层、保护层、介质层和第二多晶硅层。所述半导体器件制造方法包括:提供基底;在所述基底上依次形成第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层;将下极板图案转移到所述第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层中,从而形成具有下极板图案的第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层;在所述具有下极板图案的保护层上依次形成具有下极板图案的介质层和第二多晶硅层。本发明所提供的半导体器件制造方法,可极大地提高所形成的器件上PIP电容的电容值及可靠性。

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