一种利用离子注入结合化学刻蚀制备KTiOPO4单晶薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510308632.9
IPC分类号：C23C14/48;C23C14/58
申请日期：
2015-06-08
申请人：
山东大学

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专利名称	一种利用离子注入结合化学刻蚀制备KTiOPO4单晶薄膜的方法
申请号	CN201510308632.9	申请日期	2015-06-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-10-28	公开/公告号	CN105002471A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/48 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/48 离子注入〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;4;8;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人	山东大学	申请人地址	山东省济南市历下区经十路17923号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东大学	当前权利人	山东大学
发明人	卢霏;马长东;许波;范冉冉
代理机构	济南圣达知识产权代理有限公司	代理人	崔苗苗

摘要

本发明涉及一种利用离子注入结合化学刻蚀制备KTiOPO4单晶薄膜的方法法。将低能量范围(100～6000keV)的H或He离子注入到晶体样品中，注入离子剂量范围是1×1016～10×1016离子/平方厘米，注入温度是室温或低温。然后将样品进行退火处理，退火温度范围为200℃到600℃，退火总时长10秒～2小时。将样品用化学试剂刻蚀，实现晶体薄膜剥离。采用本发明中的方法，我们将2000keV能量，4×1016剂量的He离子在室温条件下注入到Z切向的KTP样品后，退火处理后再放入HF溶液中刻蚀实现了薄膜剥离。利用本发明中的方法我们已经获得了厚度为5微米的磷酸钛氧钾(KOTiPO4)晶体薄膜，这是至今首次利用离子注入结合化学刻蚀方法得到的KTP单晶薄膜。

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