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存储器器件及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110577115.7
IPC分类号：H01L27/11587;H01L27/1159;H01L27/11592;H01L27/11597
申请日期：
2021-05-26
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储器器件及其形成方法
申请号	CN202110577115.7	申请日期	2021-05-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-19	公开/公告号	CN113517300A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11587 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11585 具有包括用于铁电存储器特性的层的栅电极，例如，MFS（金属-铁电体-半导体）或 MFMIS（金属-铁电体-金属-绝缘体-半导体）〔2017.01〕 H01L27/11587 以顶视图布局为特征的〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;9;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;9;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;9;7查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	吴昭谊;林佑明;杨世海
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	顾伯兴

摘要

一种存储器器件包括：衬底、层堆叠及多个复合柱结构。层堆叠设置在衬底上。层堆叠包括交替堆叠的多个导电层及多个介电层。复合柱结构分别穿透过层堆叠。每一个复合柱结构包括介电柱；一对导电柱，穿透过介电柱且通过介电柱的一部分彼此电隔离；沟道层，覆盖介电柱的两侧及所述一对导电柱的两侧；铁电层，设置在沟道层与层堆叠之间；以及缓冲层，设置在沟道层与铁电层之间。

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