首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

曝光装置和器件制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200380105396.6
IPC分类号：H01L21/027;G03F7/20
申请日期：
2003-12-02
申请人：
株式会社尼康

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	曝光装置和器件制造方法
申请号	CN200380105396.6	申请日期	2003-12-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-01-18	公开/公告号	CN1723536
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	株式会社尼康	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社尼康	当前权利人	株式会社尼康
发明人	大和壮一
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	杜日新

摘要

提供一种曝光装置，在投影光学系统和衬底之间充满液体进行曝光处理的时候，能够抑制起因于液体中气泡的图案像恶化。该曝光装置包括：用于以液体(50)充满上述投影光学系统和衬底之间的至少一部分的液体供给装置(1)，通过投影光学系统将图案图像投影在衬底上曝光。液体供给装置包括：抑制上述液体(50)中发生气泡的气泡抑制装置(21)。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供