低污染、高密度等离子蚀刻腔体及其加工方法

发明专利无效专利

申请号：
CN99811286.0
IPC分类号：H01L21/00;H01J37/32;H05H1/00
申请日期：
1999-09-24
申请人：
兰姆研究公司

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著录项信息

专利名称	低污染、高密度等离子蚀刻腔体及其加工方法
申请号	CN99811286.0	申请日期	1999-09-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-10-24	公开/公告号	CN1319247
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;5;H;1;/;0;0查看分类表>
申请人	兰姆研究公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	兰姆研究公司	当前权利人	兰姆研究公司
发明人	托马斯·E·维克;罗伯特·A·马拉欣;威廉·S·肯尼迪
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	董敏

摘要

本发明公开了一种高密度等离子处理腔，包括一用于保持一晶片的静电吸盘以及高耐蚀刻、不易产生污染并且可以温控的消耗件。消耗件包括一个腔体衬瓦，腔体衬瓦具有一个下支撑部以及一个围绕静电吸盘的壁。消耗件还包括一个衬瓦支撑结构，具有一下延伸部、一柔性壁以及一上延伸部。柔性壁构造成围绕腔体衬瓦的壁的外表面，而衬瓦支撑柔性壁与腔体衬瓦的壁隔离开。但是衬瓦支撑的下延伸部构造成与腔体衬瓦的下支撑部直接热接触。消耗件可以由对正在蚀刻的晶片上的材料无害的材料制成。

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