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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010673026.8
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2020-07-14
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN202010673026.8申请日期2020-07-14
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-03-26公开/公告号CN112563318A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人锺政庭;蔡庆威;程冠伦
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人聂慧荃;闫华
摘要
公开半导体装置与其形成方法。例示性的半导体装置包括鳍状物基板,具有第一掺质浓度;抗击穿层,位于鳍状物基板上,其中抗击穿层具有第二掺质浓度,且第二掺质浓度大于第一掺质浓度;纳米结构,包括多个半导体层位于抗击穿层上;栅极结构,位于纳米结构上并包覆半导体层的每一者,其中栅极结构包括栅极介电层与栅极;第一外延的源极/漏极结构与第二外延的源极/漏极结构位于抗击穿层上,其中栅极结构位于第一外延的源极/漏极结构与第二外延的源极/漏极结构之间;以及隔离层,位于抗击穿层与鳍状物基板之间,其中隔离层的材料与栅极介电层的材料相同。

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