一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110324952.9
IPC分类号：C04B35/40;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;H01F1/34;H01F41/02
申请日期：
2021-03-26
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法
申请号	CN202110324952.9	申请日期	2021-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-10	公开/公告号	CN113233885A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/26 以铁氧体为基料的〔2，6〕 C04B35/40 含稀土氧化物的〔2，6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;4;0;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;;;H;0;1;F;1;/;3;4;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	马永祥;张怀武;李颉;徐秉川
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	甘茂

摘要

本发明属于电子陶瓷技术领域，具体提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法，用以解决现有低温烧结YIG旋磁铁氧体材料在LTCC工艺下均难以满足低温烧结以及旋磁性能优异要求的问题。本发明提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料Y2.1Bi0.9Fe5‑3xZn2xVxO12、0＜x≤0.06，具有单一石榴石结构，Bi3+离子占据石榴石晶格十二面体、取代一部分Y3+离子，V5+离子占据八面体、取代一部分Fe3+离子，同时引入金属离子Zn2+离子，实现多离子取代活化YIG铁氧体晶格，促进YIG铁氧体900～960℃下低温烧结的同时，改善材料的微波特性较高的饱和磁化强度、较低的矫顽力、较低的微波介电损耗和磁损耗，使之满足LTCC技术要求，对集成度要求高、体积要求小的微波铁氧体器件的制造提供基础材料。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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