改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200810060274.4
IPC分类号：B24B29/00;B24B7/22;H01L21/304
申请日期：
2008-04-02
申请人：
万向硅峰电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置
申请号	CN200810060274.4	申请日期	2008-04-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-08-27	公开/公告号	CN101249634
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B29/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B29/00 有或没有使用固体或液体抛光剂并利用柔软材料或挠性材料制作的工具进行工件表面抛光的机床或装置（使用砂带磨削或抛光入B24B 21/00）〔4〕	IPC分类号	B;2;4;B;2;9;/;0;0;;;B;2;4;B;7;/;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人	万向硅峰电子股份有限公司	申请人地址	浙江省开化县芹南路27号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	万向硅峰电子股份有限公司	当前权利人	万向硅峰电子股份有限公司
发明人	徐永忠;汪贵发;楼春兰;郑辉;赖建华
代理机构	杭州裕阳专利事务所（普通合伙）	代理人	应圣义

摘要

本发明属于一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置，本发明针对现有技术被磨硅片因磨盘直径因素引起的线速度变化，使被磨硅片外圆部分比中心部分磨去较多，导致被磨硅片中间厚而边缘薄的塌边现象，采用在研磨过程中，自始至终使被磨硅片的中部落在磨盘区域内作公转和自转运动，而使被磨硅片的边缘侧间隙式落在磨盘区域外作公转和自转运动的技术方案，改善半导体单晶硅研磨硅片的平行度，达到了所磨硅片外圆部分和中心部分厚薄一致、平行度好的目的，利用该方法磨研硅片不但可以大大减少磨盘的修磨次数，还可以有效确保被磨硅片的平行度指标达到所需要求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供