一种高性能MEMS流量传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110275554.2
IPC分类号：G01F1/688;G01F1/684;G01F15/02;G01F15/04;G01L9/06
申请日期：
2021-03-15
申请人：
青岛芯笙微纳电子科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高性能MEMS流量传感器及其制备方法
申请号	CN202110275554.2	申请日期	2021-03-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113049053A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01F1/688 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01F 容积、流量、质量流量或液位的测量；按容积进行测量〔2，5〕 G01F1/00 测量连续通过仪表的流体或流动固体材料的流量或质量流量（测量流量比例入G01F 5/00）〔2〕 G01F1/68 应用热效应〔2〕 G01F1/684 结构配置；元件安装，例如与液流有关的〔6〕 G01F1/688 利用特殊类型的加热、冷却或传感元件〔6〕	IPC分类号	G;0;1;F;1;/;6;8;8;;;G;0;1;F;1;/;6;8;4;;;G;0;1;F;1;5;/;0;2;;;G;0;1;F;1;5;/;0;4;;;G;0;1;L;9;/;0;6查看分类表>
申请人	青岛芯笙微纳电子科技有限公司	申请人地址	山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园B座402室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青岛芯笙微纳电子科技有限公司	当前权利人	青岛芯笙微纳电子科技有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	青岛华慧泽专利代理事务所（普通合伙）	代理人	刘娜

摘要

本发明公开了一种高性能MEMS流量传感器及其制备方法，该流量传感器包括：SOI衬底，包括底层硅、埋氧层及顶层硅；腔体，包括第一腔体和第二腔体，均沿上下向贯穿底层硅；敏感材料层，位于所述埋氧层上，由部分所述顶层硅形成，包括温度敏感元件、热电堆、加热器及压力敏感元件；绝缘介质层，覆盖所述敏感材料层，且局部刻蚀出接触孔；金属层，部分金属层通过所述接触孔连接所述敏感材料层。本发明采用具有较大塞贝克系数的P型/N型单晶硅作为热电堆材料，可有效提高器件的灵敏度；此外，本发明在常规MEMS流量传感器上集成制造了温度敏感单元和压力敏感单元，以便在不增设温度和压力传感器的前提下对流量的测量结果进行补偿，提高器件的检测精度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供