具有双磁态的磁性元件

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专利名称	具有双磁态的磁性元件
申请号	CN00136605.X	申请日期	2000-12-15
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2001-08-22	公开/公告号	CN1309301
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	摩托罗拉公司	申请人地址	美国亚利桑那变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾沃思宾技术公司	当前权利人	艾沃思宾技术公司
发明人	陈佑俊;乔恩·迈克尔·斯劳夫特;马克·杜尔拉姆;马克·德赫勒拉;赛德·N.·特拉尼
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

一种改进且新颖的磁性元件(10；10’；50；50’；80)，它含有许多薄膜层，其中单元端部静磁退磁场将抵消这种结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。另外还公开了一种通过提供多个薄膜层来构成一种磁性元件(10)的方法，其中单元端部静磁退磁场将抵消这种结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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