加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

采用电沉积制备NaYF4:Yb,Er上转换荧光材料的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110020593.4
  • IPC分类号:C25D9/04;C25D5/50;C09K11/85
  • 申请日期:
    2011-01-18
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称采用电沉积制备NaYF4:Yb,Er上转换荧光材料的方法
申请号CN201110020593.4申请日期2011-01-18
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-08-03公开/公告号CN102140662A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C25D9/04IPC分类号C;2;5;D;9;/;0;4;;;C;2;5;D;5;/;5;0;;;C;0;9;K;1;1;/;8;5查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人刘润;王辉;陈科立;徐铸德
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人张法高
摘要
本发明公开了一种采用电沉积制备NaYF4:Yb,Er上转换荧光材料的方法。它的步骤如下:1)用丙酮清洗ITO导电玻璃2~3次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10~30分钟,接着将ITO导电玻璃放在10%的硝酸溶液中活化10~30秒,最后用去离子水清洗,待用;2)向0.003~0.3mol/L乙二胺四乙酸二钠与摩尔比为75~94:5~20:1~5的钇离子、镱离子和饵离子形成的配合物溶液中,加入抗坏血酸钠,再加入氟化钠溶液,调节pH值为5~7,得到电解液,待用;3)以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极进行电沉积,制得的薄膜进行退火。本发明具有设备简单、成本低、沉积速率快、材料生长温度低、可以在常温常压下操作的特点,有望进行工业化生产。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供