具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法

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专利名称	具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法
申请号	CN00135548.1	申请日期	2000-12-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-07-04	公开/公告号	CN1302088
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金坰显;洪昌基;郑佑仁;金凡洙;申有哲;朴奎灿
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

一种具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括设置于半导体衬底预定区域的隔离区。隔离区限定至少一个第一有源区和至少一个第二有源区。用第一栅绝缘层覆盖第一有源区，用薄于第一栅绝缘层的第二栅绝缘层覆盖第二有源区。用最好覆盖第一和第二栅绝缘层的整个侧壁的隔离层填充隔离区。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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