一种晶圆中金属杂质的检测方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011581016.8
IPC分类号：G01N27/626;G01N1/44
申请日期：
2020-12-28
申请人：
上海新昇半导体科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶圆中金属杂质的检测方法
申请号	CN202011581016.8	申请日期	2020-12-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-20	公开/公告号	CN112683988A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/626	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;6;2;6;;;G;0;1;N;1;/;4;4查看分类表>
申请人	上海新昇半导体科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区泥城镇云水路1000号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新昇半导体科技有限公司	当前权利人	上海新昇半导体科技有限公司
发明人	闻澜霖;冯天;周珍
代理机构	上海思捷知识产权代理有限公司	代理人	王宏婧

摘要

本发明提供一种晶圆中金属杂质的检测方法，包括将晶圆进行中温热处理，加热至350℃～550℃温度范围内，保持第一预设时间；将中温热处理后的晶圆降温至低温并进行低温热处理，低温热处理包括在200℃～300℃温度范围内，保持第二预设时间；将低温热处理后的晶圆降温至室温；将化学气相分解液滴在室温下的晶圆表面收集金属杂质；将包含金属杂质的化学气相分解液雾化后进行电感耦合等离子体质谱光谱分析，计算得到各种金属杂质的含量。本发明采用先中温热处理，不直接降温到室温，而是降温至低温并进行低温热处理的串联热工艺，兼顾了晶圆中不同的金属杂质扩散到晶圆表面并进行检测，耗时减少，提升了效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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