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使用高纯度离子喷淋制造SOI结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780020321.6
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L21/265;B01D59/48;H01J37/08
  • 申请日期:
    2007-05-24
  • 申请人:
    康宁股份有限公司
著录项信息
专利名称使用高纯度离子喷淋制造SOI结构
申请号CN200780020321.6申请日期2007-05-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-06-17公开/公告号CN101461055
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;B;0;1;D;5;9;/;4;8;;;H;0;1;J;3;7;/;0;8查看分类表>
申请人康宁股份有限公司申请人地址
美国纽约州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人康宁股份有限公司当前权利人康宁股份有限公司
发明人J·S·希特斯;K·P·加德卡里;R·O·马斯克梅耶
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人项丹
摘要
公开使用纯化的离子喷淋用于将离子注入施主基片,制造SOI和SOG结构的方法。纯化的离子喷淋提供了有利的,有效的,低成本而高效率的离子注入,同时使对脱落膜是损害最小。

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