一种石墨烯材料及其修饰方法与应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201710164123.2
IPC分类号：C01B32/194;H01L51/50;H01L51/52
申请日期：
2017-03-20
申请人：
南京邮电大学

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著录项信息

专利名称	一种石墨烯材料及其修饰方法与应用
申请号	CN201710164123.2	申请日期	2017-03-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-08-11	公开/公告号	CN107032341A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/194 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/182 石墨烯〔2017.01〕 C01B32/194 后处理〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;9;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2查看分类表>
申请人	南京邮电大学	申请人地址	江苏省南京市栖霞区文苑路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京邮电大学	当前权利人	南京邮电大学
发明人	陈淑芬;章琴;周永芳;黄维
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	楼高潮

摘要

本发明公开了一种石墨烯材料及其修饰方法与应用。该石墨烯材料由支撑层粘结基底和石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层表面设有至少一层界面修饰薄膜层，所述界面修饰薄膜层的材料为绝缘宽禁带材料或半导体材料，所述界面修饰薄膜层的形成方法为溶液法、真空蒸镀法、溅射法、原子层沉积、电子束或离子束成膜。修饰方法为基底的清洗；基底与石墨烯薄膜层的结合；界面修饰薄膜层的制备，得石墨烯材料。本发明石墨烯材料经过修饰后形成石墨烯p型或n型掺杂，通过提升或降低功函数，减少石墨烯与功能层的势垒高度，利于载流子的迁移；提高导电性，减少器件漏电，适合用于柔性光电或电子元器件。

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