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一种BiCuSeO热电材料的合成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510631098.5
  • IPC分类号:C01B19/00
  • 申请日期:
    2015-09-29
  • 申请人:
    武汉理工大学
著录项信息
专利名称一种BiCuSeO热电材料的合成方法
申请号CN201510631098.5申请日期2015-09-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-04-05公开/公告号CN106554002A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B19/00IPC分类号C;0;1;B;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人武汉理工大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉理工大学当前权利人武汉理工大学
发明人唐新峰;杨东旺;杜慧真;苏贤礼;鄢永高
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司代理人唐万荣
摘要
本发明提供了一种BiCuSeO热电材料的合成方法,具体步骤为:1)以CuO、Bi和Se粉为原料,按化学计量比1:1:1称量,混合均匀得反应物;2)将反应物引发自蔓延燃烧反应,然后进行冷却或淬火,得BiCuSeO化合物;3)将所得BiCuSeO化合物研磨成粉,之后进行放电等离子烧结,得块状致密的BiCuSeO热电材料。本发明采用CuO/Bi/Se为原料,有效避开了以Bi2O3/Bi/Se/Cu为原料发生SHS反应时O原子占据Bi2Se3中Se原子6c位过程,使得燃烧波蔓延速度提高了约36%;制备的热电材料其热电性能优值ZT在873K达0.66,且原料成本低,为其大规模商业化应用奠定了重要基础。

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