非易失性存储器的读取系统及存储设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202110644859.6
IPC分类号：G11C16/26;G11C16/14;G11C16/24
申请日期：
2021-06-09
申请人：
上海亿存芯半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	非易失性存储器的读取系统及存储设备
申请号	CN202110644859.6	申请日期	2021-06-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113257321A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/26 读出或读电路；数据输出电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;2;6;;;G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4查看分类表>
申请人	上海亿存芯半导体有限公司	申请人地址	上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路608号2幢105室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海亿存芯半导体有限公司	当前权利人	上海亿存芯半导体有限公司
发明人	蔡晓波;任建军
代理机构	上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄海霞

摘要

本发明提供了一种非易失性存储器的读取系统及存储设备，所述读取系统包括数据缓存单元，存储单元，与数据缓存单元和数据存储单元连接的数据读取单元，以及与数据读取单元连接的选通单元，用于使数据缓存单元内的数据写入存储单元、使数据读取单元从数据缓存单元内读取数据或使数据读取单元从存储单元内读取数据。所述读取系统通过设置选通单元使所述读取系统不仅能读取存储单元的数据，也能读取写入数据缓存单元内的数据。本发明的读取系统不需要额外添加寄存器即可读取存储器写操作传入数据缓存单元的数据，解决了读取或记录写操作传入的所有数据占用过多的芯片面积的问题。

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