基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010747894.6
IPC分类号：H01L27/06;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
申请日期：
2020-07-30
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法
申请号	CN202010747894.6	申请日期	2020-07-30
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-30	公开/公告号	CN111863807A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/06 在非重复结构中包括有多个单个组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	张春福;张苇杭;武毅畅;张家祺;杨国放;陈大正;张进成;郝跃
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华

摘要

本发明公开了一种基于源场板的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管，主要解决现有Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，SiN隔离层中间刻有隔离槽(17)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧横向依次设有第二源电极(6)、第二栅电极(7)和第二漏电极(8)，该源漏电极之间区域上设有钝化层(16)，该钝化层和第二源电极上淀积有源场板(9)，形成GaN高电子迁移率晶体管。本发明具有显著的击穿特性，可用作汽车、航空航天和发电站的电源转换器或反相器。

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