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一种高密度屏蔽栅沟槽型场效应管器件的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110746009.7
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2021-07-01
  • 申请人:
    安建科技(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称一种高密度屏蔽栅沟槽型场效应管器件的制造方法
申请号CN202110746009.7申请日期2021-07-01
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-17公开/公告号CN113270321A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人安建科技(深圳)有限公司申请人地址
广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦1108 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安建科技(深圳)有限公司当前权利人安建科技(深圳)有限公司
发明人单建安;伍震威;梁嘉进;丁祎晓
代理机构深圳市千纳专利代理有限公司代理人袁燕清;童海霓
摘要
一种高密度屏蔽栅沟槽型场效应管器件的制造方法,属于功率半导体器件领域,用于解决现有场效应管制造方法无法进一步缩小元胞尺寸的问题,方法包括:衬底上形成第一导电型外延层和沟槽;在沟槽内形成沟槽绝缘层和屏蔽栅电极;在屏蔽栅电极上表面形成极间隔离层;在沟槽侧壁上形成栅氧化层;填充栅电极材料并回刻形成栅电极;在栅电极上方形成热氧化层,并在半导体表面形成第一介质层;进行电型离子注入;形成第二介质层,回刻后形成硬掩模;刻蚀半导体,形成接触孔;形成第二重掺杂导电型掺杂接触区;形成上表面金属,形成器件。本发明高密度屏蔽栅沟槽型场效应管器件的制造工艺流程,有利于进一步减少器件的元胞尺寸,降低器件导通电阻的效果。

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