加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种基于氧化镍薄膜的双极电阻开关存储器及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201910751132.0
  • IPC分类号:H01L45/00;H01L27/24
  • 申请日期:
    2019-08-14
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种基于氧化镍薄膜的双极电阻开关存储器及制备方法
申请号CN201910751132.0申请日期2019-08-14
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2019-12-13公开/公告号CN110571328A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人李玲霞;彭伟;于仕辉;杨盼
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人暂无
摘要
一种基于氧化镍薄膜的双极电阻开关存储器及制备方法。一种基于氧化镍薄膜的双极电阻开关存储器,包括Pt/TiOx/SiO2/Si衬底,其由上至下次序为Pt、TiOx、SiO2和Si,衬底上面设置有NiO薄膜,NiO薄膜上面设置有Au电极。制备方法为首先清洗衬底,再将NiO靶材采用磁控溅射方法,沉积得到NiO薄膜,再于500‑700℃进行后退火处理,最后采用热蒸镀方法得到Au电极作为顶电极。本发明首次采用NiO陶瓷靶材磁控溅射制备双极电阻开关存储器,该电阻开关结构简单、制备方便、低成本,具有较大的开关比,可广泛应用于电子器件,尤其是电阻开关存储。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供