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半导体器件栅极残留最大允许值确定方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710041357.4
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/336;G06F17/50
  • 申请日期:
    2007-05-28
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件栅极残留最大允许值确定方法
申请号CN200710041357.4申请日期2007-05-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-12-03公开/公告号CN101315885
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人赵猛
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人逯长明
摘要
一种半导体器件栅极残留最大允许值确定方法,包括:根据栅极残留在沟道长度方向的尺寸L和栅极厚度方向H的尺寸关系,建立栅极残留的形状模型;根据栅极残留的形状模型计算H和L取不同值时的半导体器件的电性能参数,并得到H和L与半导体器件电性能参数的关系;挑选H和L为零时的半导体器件的电性能参数为标准值,并设定存在栅极残留时半导体器件的电性能参数允许的最大波动范围为(±X%×标准值);根据H和L与半导体器件电性能参数的关系,分别计算半导体器件的电性能参数为(1±X%)×标准值时对应的H和L;选定上步所述尺寸中的最小值作为栅极残留的最大允许值。所述方法可以对栅极残留对器件性能的影响进行定量计算和分析。

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