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贴合SOI晶圆的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911075806.6
  • IPC分类号:H01L21/18;H01L21/762
  • 申请日期:
    2019-11-06
  • 申请人:
    信越半导体株式会社
著录项信息
专利名称贴合SOI晶圆的制造方法
申请号CN201911075806.6申请日期2019-11-06
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-05-19公开/公告号CN111180317A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/18IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人信越半导体株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人信越半导体株式会社当前权利人信越半导体株式会社
发明人石塚彻;滨节哉
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司代理人张晶;谢顺星
摘要
提供一种利用基础氧化法进行的贴合SOI晶圆的制造方法,其能够抑制滑移位错的发生并抑制基础晶圆的氧析出物的形成。该贴合SOI晶圆的制造方法的特征在于,具有:准备初始间隙氧浓度在15ppma(’79ASTM)以上的单晶硅晶圆作为基础晶圆的工序;当通过对所述基础晶圆在氧化性气氛下实施热处理而在所述基础晶圆的表面形成硅氧化膜时,将所述基础晶圆向进行所述热处理的热处理炉的投入温度设为800℃以上,并以该投入温度以上的温度来进行所述基础晶圆的所述热处理而形成硅氧化膜的工序;经由所述硅氧化膜使所述基础晶圆与接合晶圆贴合的工序;使贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层的工序。

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