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一种射流辅助激光等离子体的晶圆切割装置及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710652982.6
  • IPC分类号:B23K26/38;B23K26/70;H01L21/304;B23K101/40
  • 申请日期:
    2017-08-02
  • 申请人:
    武汉大学
著录项信息
专利名称一种射流辅助激光等离子体的晶圆切割装置及方法
申请号CN201710652982.6申请日期2017-08-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-12-05公开/公告号CN107433397A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B23K26/38IPC分类号B;2;3;K;2;6;/;3;8;;;B;2;3;K;2;6;/;7;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;B;2;3;K;1;0;1;/;4;0查看分类表>
申请人武汉大学申请人地址
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉大学当前权利人武汉大学
发明人刘胜;王春喜;占必红;程佳瑞;苏丹
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人魏波
摘要
本发明公开了一种射流辅助激光等离子体的晶圆切割装置及方法,装置包括飞秒激光器、射流辅助系统、CCD影像系统、聚焦透镜组、分光透镜、旋转装置、光闸、三倍频装置、加工平台及控制系统;控制系统通过控制飞秒激光器产生激光,激光经分光透镜后分成两束,分别通过光闸或依次通过光闸、三倍频装置后射入聚焦透镜组;晶圆片固定安装在加工平台上,CCD影像系统用于获取晶圆片(13)的位置、状态信息并反馈回控制系统,控制系统通过控制加工平台的运动将晶圆片移动到预定位置;控制系统通过控制旋转装置,调整射流辅助系统喷射的射流方向到聚焦透镜组的激光聚焦点,使射流辅助系统喷射的射流和聚焦透镜组的激光入射到晶圆片加工的初始位置。

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