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半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN02159818.5
IPC分类号：H01L27/00;H01L21/8249
申请日期：
2002-12-27
申请人：
三洋电机株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置
申请号	CN02159818.5	申请日期	2002-12-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-09	公开/公告号	CN1428861
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;9查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社	当前权利人	三洋电机株式会社
发明人	金子智;大古田敏幸;名野隆夫
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	杨梧;马高平

摘要

一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅衬底50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅衬底50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。

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