用选择性外延淀积制造应变硅CMOS结构的方法

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专利名称	用选择性外延淀积制造应变硅CMOS结构的方法
申请号	CN01123081.9	申请日期	2001-07-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-05-08	公开/公告号	CN1348210
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国纽约州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司	当前权利人	国际商业机器公司
发明人	K·里姆
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	陈霁;陈景峻

摘要

制作了一种应变硅CMOS结构，其制作步骤包括：在衬底表面上制作SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层中制作隔离区和阱注入区；以及在所述SiGe弛豫层上制作应变硅层。这些工艺步骤可以结合常规的栅工艺步骤用在应变MOSFET结构的制作过程中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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