一种半导体器件及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910239686.2
IPC分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
申请日期：
2019-03-27
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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专利名称	一种半导体器件及其形成方法
申请号	CN201910239686.2	申请日期	2019-03-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-09	公开/公告号	CN111755515A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	王楠
代理机构	上海德禾翰通律师事务所	代理人	侯莉

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上形成有去除部分厚度的鳍部后形成的第一子鳍部；对第一子鳍部远离衬底的一端进行调整，使得S1≥S2，其中，S1为第一子鳍部的一端的端面的中间区域到衬底的距离，S2为第一鳍部的端面的边缘区域到衬底的距离；并且在垂直于第一子鳍部的长度方向形成的截面中，第一子鳍部远离衬底一侧的轮廓线呈平滑过渡。通过该半导体器件的形成方法制成的半导体器件，第一子鳍部的一端的端面的中间区域到衬底的距离大于等于其边缘区域到衬底的距离，且第一子鳍部远离衬底一侧的轮廓线呈平滑过渡，可以减小第一子鳍部的底部区域的受到电压击穿的几率，从而优化半导体器件的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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