一种降低硅基异质外延生长三五族半导体中位错缺陷密度的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011641242.0
IPC分类号：H01L21/02;H01S5/30
申请日期：
2020-12-31
申请人：
中山大学

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专利名称	一种降低硅基异质外延生长三五族半导体中位错缺陷密度的方法
申请号	CN202011641242.0	申请日期	2020-12-31
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-18	公开/公告号	CN112820630A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;S;5;/;3;0查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市海珠区新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	王冰;施裕庚;金运姜;余思远
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	张金福

摘要

本发明公开一种降低硅基异质外延生长三五族半导体中位错缺陷密度的方法，包括：用PECVD在硅(001)衬底上沉积二氧化硅或氮化硅薄膜作为掩膜层；制作出掩膜图形然后在其上制作出V型槽得到图形化硅衬底；选择性外延生长三五族半导体材料；在完成生长的材料表面沉积二氧化硅薄膜，将外延生长的三五族材料完全覆盖，并进行热处理与CMP表面平整化；通过键合将生长的三五族半导体材料转移到另一个硅(001)衬底上，将三五族外延层缺陷密度最高的底部反转过来；去除原硅(001)衬底及原V型槽底部的高缺陷密度三五族半导体，保留高质量部分并以其为衬底，外延生长激光器器件结构。本发明可获得低位错密度(<106/cm2)的硅基三五族外延材料，实现高性能的硅基光源。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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