具有提高的读稳定性的存储单元、存储器阵列及集成电路

发明专利有效专利

申请号：
CN200510123501.X
IPC分类号：G11C11/412;G11C11/419
申请日期：
2005-11-17
申请人：
国际商业机器公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有提高的读稳定性的存储单元、存储器阵列及集成电路
申请号	CN200510123501.X	申请日期	2005-11-17
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2006-07-26	公开/公告号	CN1808621
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/412 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/412 只使用场效应晶体管的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;2;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;9查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国华盛顿州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	微软技术许可有限责任公司	当前权利人	微软技术许可有限责任公司
发明人	L·常;R·H·德纳尔德;R·K·蒙图瓦
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	于静;李峥

摘要

一种用于存储器阵列的存储单元包括用于存储该存储单元的逻辑状态的存储元件、写电路和读电路。写电路可操作地响应用于选择性地写入该存储单元的逻辑状态的写信号，选择性地使存储元件的第一节点连接到该存储器阵列中的至少第一写位线。读电路包括连接到存储元件的高阻抗输入节点和可连接到该存储器阵列的读位线的输出节点。读电路被配置为响应施加到该读电路的读信号，在输出节点生成代表存储元件的逻辑状态的输出信号。该存储单元被配置为使得写电路在该存储单元的读操作期间被禁用，以便在读操作期间使存储元件与第一写位线隔离。相对于写电路和/或读电路内的至少一个晶体管器件的强度，分别优化存储元件内的至少一个晶体管器件的强度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供