一种碳化硅DSRD的堆叠式压接封装结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202010301788.5
IPC分类号：H01L25/07;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/60
申请日期：
2020-04-16
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种碳化硅DSRD的堆叠式压接封装结构
申请号	CN202010301788.5	申请日期	2020-04-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-28	公开/公告号	CN111463191A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/07 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/07 包含在H01L 29/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	梁琳;杨英杰
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	尹丽媛;李智

摘要

本发明属于器件封装领域，具体涉及一种碳化硅DSRD的堆叠式压接封装结构，包括：多个第一封装片，多个第二封装片，多个碳化硅DSRD芯片，正、负接线元件。每个芯片两侧分别叠放一层第一封装片构成封装子模块；每相邻两个封装子模块间通过第二封装片层叠构成堆叠式压接垂直结构；该垂直结构中每相邻两层间通过压力接触，实现每两个芯片间的首尾电气相连，正、负接线元件分别连接垂直结构正、负端。第一封装片用于避免在芯片工作中因材料间热失配产生热变形；第二封装片起到缓冲作用并用于实现芯片边缘电场的优化调制。本发明采用垂直堆叠压接形式，便于结构安装及失效器件替换，同时避免热形变问题，且实现电场调制，避免局部放电。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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