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阵列基板及有机发光二极管显示装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201220686859.9
  • IPC分类号:H01L27/32
  • 申请日期:
    2012-12-12
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称阵列基板及有机发光二极管显示装置
申请号CN201220686859.9申请日期2012-12-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/32IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司
发明人宋泳锡;刘圣烈;崔承镇;金熙哲
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司代理人王莹
摘要
本实用新型公开了一种阵列基板,包括多个位于基板上的像素单元,像素单元包括:形成在基板上的薄膜晶体管结构;以及由薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管,薄膜晶体管结构包括驱动薄膜晶体管,驱动薄膜晶体管的漏极连接有机发光二极管,驱动薄膜晶体管的栅极与漏极重叠,之间形成存储电容,栅极和漏极之间间隔的绝缘层上对应重叠区域形成有凹槽,使栅极和漏极之间的距离小于绝缘层的对应非重叠区域的厚度。还公开了包括上述阵列基板的有机发光二极管显示装置。本实用新型在栅极和漏极之间的绝缘层上形成凹槽结构减小两者之间的距离,使形成的存储电容变大,能够为WOLED提供更大的驱动电流,从而降低了WOLED显示装置的驱动功耗。

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