硫化钼纳米粒子修饰介孔五氧化二铌/氮掺杂石墨烯复合光催化剂的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710943383.X
IPC分类号：B01J27/24;B01J37/16;B01J35/10;C01B3/04
申请日期：
2017-10-11
申请人：
南通科技职业学院

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专利名称	硫化钼纳米粒子修饰介孔五氧化二铌/氮掺杂石墨烯复合光催化剂的制备方法
申请号	CN201710943383.X	申请日期	2017-10-11
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-01-26	公开/公告号	CN107626338A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B01J27/24 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B0 分离；混合 B01 一般的物理或化学的方法或装置 B01J 化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备〔2〕 B01J27/00 包含卤素、硫、硒、碲、磷或氮的元素或化合物的催化剂；包含碳化合物的催化剂〔4〕 B01J27/24 氮的化合物〔2〕	IPC分类号	B;0;1;J;2;7;/;2;4;;;B;0;1;J;3;7;/;1;6;;;B;0;1;J;3;5;/;1;0;;;C;0;1;B;3;/;0;4查看分类表>
申请人	南通科技职业学院	申请人地址	江苏省南通市青年中路136号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南通科技职业学院	当前权利人	南通科技职业学院
发明人	丁敏娟;蒋云霞;李蓉;葛柯;丁敏嘉;闫生荣
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	许洁

摘要

本发明公开了一种硫化钼纳米粒子修饰介孔五氧化二铌/氮掺杂石墨烯复合光催化剂的制备方法。本发明解决了五氧化二铌自身活性低的难题，将其制备成介孔结构，利用硫化钼纳米粒子对其进行修饰，形成异质结构复合半导体，在光催化反应中可以有效地拓展五氧化二铌的光响应范围，减少光电子‑空穴对的复合，提高其光催化活性。本发明所制备的大比表面积和有序孔道结构的异质结构复合半导体(MNb/MoS2)有利于光生电荷在其表面的转移。氮掺杂石墨烯进入后，增强了光电子的转移速度，并对太阳能的利用也达到最大化，协同提高MNb/MoS2/NGR的可见光催化性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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