一种单轴压力约束相变制备各向异性MnAlC单一变体的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710006415.3
IPC分类号：H01F1/147;H01F41/02
申请日期：
2017-01-05
申请人：
北京航空航天大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种单轴压力约束相变制备各向异性MnAlC单一变体的方法
申请号	CN201710006415.3	申请日期	2017-01-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-13	公开/公告号	CN108281247A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/147 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/01 无机材料的（H01F 1/44优先）〔6〕 H01F1/03 按其矫顽力区分的〔6〕 H01F1/12 软磁材料的〔6〕 H01F1/14 金属或合金〔6〕 H01F1/147 按成分区分的合金〔5，6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;1;4;7;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2查看分类表>
申请人	北京航空航天大学	申请人地址	北京市海淀区学院路37号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航空航天大学	当前权利人	北京航空航天大学
发明人	蒋成保;张弛;王敬民;张天丽;刘敬华;王慧;张明;王敬东;蔡明光
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种采用单轴压力约束相变制备MnAlC磁性单一变体的方法和用该方法制备的MnAlC磁性单一变体。该方法是将MnAlC原材料经熔炼铸棒、生长单晶之后形成MnAlC‑ε相单晶，然后将MnAlC‑ε相单晶在250～350MPa单轴压力下、在580～680℃退火3～10min后制得MnAlC‑τ相单一变体。本发明的方法制得的MnAlC‑τ相单一变体具有超过100emu/g的饱和磁化强度和完全的各向异性，等效磁晶各向异性场大于4T。本发明的优点在于：(1)能有效消除合金中的孪晶，实现单一变体组织，使材料具备各向异性，从而获得更好的永磁性能；(2)工艺简单，能完全避免产生微观缺陷和析出平衡相等对于磁性能不利的影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供