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用于极紫外光刻的相移掩模

发明专利有效专利

申请号：
CN202110096801.2
IPC分类号：G03F1/24
申请日期：
2021-01-25
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于极紫外光刻的相移掩模
申请号	CN202110096801.2	申请日期	2021-01-25
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-22	公开/公告号	CN113534598A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/24 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/22 用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外〔EUV〕掩膜；其制备〔2012.01〕 G03F1/24 反射掩膜；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;2;4查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金成洙;金东完;徐焕锡
代理机构	北京市立方律师事务所	代理人	李娜;王占杰

摘要

用于极紫外光刻工艺的相移掩模包括衬底、位于所述衬底上的反射层、位于所述反射层上的覆盖层和位于所述覆盖层上的相移图案。每个所述相移图案可以包括位于所述覆盖层上的下吸收图案和位于所述下吸收图案上的上吸收图案。所述上吸收图案的折射率可以高于所述下吸收图案的折射率，并且所述上吸收图案的厚度小于所述下吸收图案的厚度。

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