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硅膜形成用组合物和硅膜的形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03801435.1
IPC分类号：H01L21/208
申请日期：
2003-08-15
申请人：
JSR株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅膜形成用组合物和硅膜的形成方法
申请号	CN03801435.1	申请日期	2003-08-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-02-09	公开/公告号	CN1579012
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/208 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕 H01L21/208 应用液体沉积的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;8查看分类表>
申请人	JSR株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	JSR株式会社	当前权利人	JSR株式会社
发明人	松木安生;岩泽晴生;加藤仁史
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	邰红;孟凡宏

摘要

本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。

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