半导体发光器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110301262.8
IPC分类号：H01L33/46;H01L33/36;H01L33/00
申请日期：
2011-09-28
申请人：
三星LED株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体发光器件及其制造方法
申请号	CN201110301262.8	申请日期	2011-09-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-16	公开/公告号	CN102456799A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/46 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/44 以涂层为特征的，例如钝化层或防反射涂层〔2010.01〕 H01L33/46 反射涂层，例如介电布拉格反射镜〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	三星LED株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金载润;李进馥;黄硕珉;李守烈
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	陈源;张帆

摘要

本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括：光发射结构，其中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在第一导电半导体层上；绝缘层，形成在第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在绝缘层上并反射从有源层发射的光；第二电极，形成在反射单元上；以及透明电极，形成在第二导电半导体层上，透明电极与绝缘层和第二电极接触。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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