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使用振膜中嵌入的Ti-W引线吸气剂的CMOS压力传感器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510404305.3
  • IPC分类号:G01L9/06;G01L1/18
  • 申请日期:
    2015-07-10
  • 申请人:
    ams国际有限公司
著录项信息
专利名称使用振膜中嵌入的Ti-W引线吸气剂的CMOS压力传感器
申请号CN201510404305.3申请日期2015-07-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-01-27公开/公告号CN105277309A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01L9/06IPC分类号G;0;1;L;9;/;0;6;;;G;0;1;L;1;/;1;8查看分类表>
申请人ams国际有限公司申请人地址
瑞士拉珀斯维尔镇 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人ams国际有限公司当前权利人ams国际有限公司
发明人威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;马特吉·戈森斯;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格;马藤·奥尔德森;卡斯珀·范德阿奥斯特
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人王波波
摘要
多种实施例涉及一种压力传感器,包括:压力敏感振膜,悬置在腔体上,其中通过一组锚结构将所述振膜固定到衬底;以及吸气剂材料,嵌入在所述振膜中,其中所述吸气剂表面接触腔体内的任何气体,并且通过能够将通过吸气剂材料的电流传导通过衬底的锚结构来将吸气剂材料的两端点附着到所述衬底。

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