半导体结构的形成方法发明专利
申请号：CN201310157910.6
LOC分类号:H01L21/033
IPC结构图谱：
- E固定建筑物
- E0建筑
- E04建筑物
- E04C结构构件；建筑材料（桥梁用的入E01Ｄ；专门设计作隔绝或其他防护用途的入E04B；辅助建筑构件入E04G；采矿用的入E21；隧道用的入E21D；具有除建筑工程以外更广泛用途的结构构件入F16，特别是F16Ｓ）
- E04C2/00建造房屋部件用的较薄形构件，例如，各种薄板、平板或镶板（材料或制作参见有关分类，例如，B27Ｎ，B29，D21J；现场制作的入E04B；专门设计作隔绝其他防护用的入E04B 1/62；承重楼板结构入E04B 5/02，E04B 5/16；由自支承板构成的屋顶入E04B 7/20；屋顶或类似的覆盖构件入E04D 3/00；作衬里或装修用的入E04F 13/00）
- E04C2/30以形状或结构为特征的（透明的入E04C 2/54）
- E04C2/38带肋、翼缘或类似物的，例如，有框架的镶板（有关装配在其他镶板或构件上以形成一结构的，参见有关结构的位置，例如，E04B 2/00）
