半导体结构的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310157910.6
IPC分类号：H01L21/033
申请日期：
2013-04-28
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构的形成方法
申请号	CN201310157910.6	申请日期	2013-04-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-10-29	公开/公告号	CN104124139A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/033 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕 H01L21/033 包括无机层的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	张城龙;张翼英;何其旸
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层；刻蚀第一介质层，形成若干分立的支撑层；在各支撑层两侧形成侧墙；在所述半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述侧墙及所述支撑层；进行烘烤工艺，硬化牺牲层，所述牺牲层的材料为DUO或Si‑ARC；研磨所述牺牲层至暴露出所述支撑层顶部；去除所述牺牲层和所述支撑层。本发明提供的半导体结构的形成方法能够避免在利用自对准图形技术的过程中，最终形成的线条图形歪斜不整齐的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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