一种Zn0纳米晶须材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02115818.5
IPC分类号：C30B29/62;C30B29/16;C01G9/03;C22B19/34
申请日期：
2002-05-13
申请人：
武汉科技大学

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专利名称	一种Zn0纳米晶须材料及其制备方法
申请号	CN02115818.5	申请日期	2002-05-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-11-26	公开/公告号	CN1458305
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/62 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/60 以形状为特征的〔3〕 C30B29/62 晶须或针状结晶〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;6;2;;;C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;0;1;G;9;/;0;3;;;C;2;2;B;1;9;/;3;4查看分类表>
申请人	武汉科技大学	申请人地址	湖北省武汉市青山区建设一路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉科技大学	当前权利人	武汉科技大学
发明人	吴润;从善海;刘宏芳;刘静;谢长生;王爱华;蔡伟平
代理机构	武汉开元专利代理有限责任公司	代理人	樊戎

摘要

本发明涉及一种用汽相法从冶金含锌废弃物中生产ZnO纳米晶须的方法。其方法是以冶金含锌废弃物为原料，富集后再放入真空蒸发室加热，当Zn蒸气焰喷出时，用高速细流的惰性气体将此气焰导入反应室，进行纳米氧化锌的合成。本发明能方便地对ZnO纳米粒子的形态进行控制，团聚成块少，易收集，易实现工业化，成本低，对环境无污染。其制品既可在光催化中能有效地降解有毒物质，又能增强材料表面对激光光能的吸收。

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