一种多核单分子磁体

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专利名称	一种多核单分子磁体
申请号	CN201911123441.X	申请日期	2019-11-16
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-01-24	公开/公告号	CN110729090A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/42 有机材料的或有机磁性材料的（H01F 1/44优先）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;4;2;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;C;0;7;F;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	仝佳平	申请人地址	重庆市沙坪坝区大学城北一路20号陆军勤务学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军陆军勤务学院	当前权利人	中国人民解放军陆军勤务学院
发明人	仝佳平;庄佳佳;邵锋;罗刚;陈明光
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种多核单分子磁体，所述单分子磁体为下述配合物或其溶剂合物：Co5Eu4(OCH3)8(OAc)12(NO3)2(CH3OH)6，其中Ac表示乙酰基。本发明提供的多核单子磁体可用于制备信息存储材料，尤其是磁存储材料。

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