一种阻变存储器预处理方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201911158979.4
IPC分类号：G11C13/00
申请日期：
2019-11-22
申请人：
华为技术有限公司;中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	一种阻变存储器预处理方法及装置
申请号	CN201911158979.4	申请日期	2019-11-22
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-25	公开/公告号	CN112837732A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华为技术有限公司;中国科学院微电子研究所	申请人地址	广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华为技术有限公司,中国科学院微电子研究所	当前权利人	华为技术有限公司,中国科学院微电子研究所
发明人	台路;许晓欣;张锐;吕杭炳;王侃文
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	望紫薇

摘要

一种阻变存储器预处理方法及装置，用以减少RRAM预处理过程中的弛豫现象。本申请中，预处理装置可以调整阻变存储器的温度，将阻变存储器的温度调整为第一处理温度；之后，预处理装置可以在第一处理温度下对阻变存储器施加处理电压，在处理电压的作用下阻变存储器的电阻可以发生变化，从第一电阻转变为第二电阻。在对阻变存储器进行预处理的过程中调整了阻变存储器的温度，使得氧空位的可以迁移较远的距离，不容易发生复合，进而减少了阻变存储器中的弛豫现象。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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