一种SERS基底单层膜的制备方法及该SERS基底单层膜

发明专利有效专利

申请号：
CN201410404019.2
IPC分类号：C23C26/00;G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2014-08-15
申请人：
国家纳米科学中心

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专利名称	一种SERS基底单层膜的制备方法及该SERS基底单层膜
申请号	CN201410404019.2	申请日期	2014-08-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-11-19	公开/公告号	CN104152897A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C26/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C26/00 不包含在C23C 2/00至C23C 24/00各组中的镀覆〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;2;6;/;0;0;;;G;0;1;N;2;1;/;6;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	国家纳米科学中心	申请人地址	北京市海淀区中关村北一条11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家纳米科学中心	当前权利人	国家纳米科学中心
发明人	葛广路;王瑞敏;魏文博
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	巩克栋;杨晞

摘要

本发明公开了一种SERS基底单层膜的制备方法，其包括以下步骤：1)制备长径比为3.8‑4.2的金纳米棒水溶液；2)将金纳米棒水溶液离心，再复溶分散在CTAB水溶液中，所得的金纳米棒CTAB水溶液中金纳米棒和CTAB的浓度比例为1‑3:1000；3)配制巯基烷烃的乙醇溶液；将所述巯基烷烃乙醇溶液滴加至步骤2)制备的金纳米棒CTAB水溶液中，所述巯基烷烃乙醇溶液和金纳米棒CTAB水溶液的体积比为1:9‑10，充分搅拌，制得配体置换混合溶液；4)加入有机溶剂，所述有机溶剂与配体置换混合溶液的体积比为1.1‑1.5:1，静置样品，在水相上表面制得SERS基底单层膜。本发明还公开了由所述方法制备的SERS基底单层膜，其稳定性高、增强效果好、重现性强，可用于检测生物探针分子。

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